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GT8N101


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 8A
Ptot 100W
TON/TOFF 200/600nS
TJ -
GT8N101 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1kV, Ic = 8A, d´application: stadi di potenza
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
informazioni aggiuntive per GT8N101
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura: TO-3P
scheda tecnica (jpg):-
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OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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BUP302


SI N-IGBT transistor
similar to GT8N101, see note
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 12A
Ptot 100W
fT -
TJ 150°C
BUP302 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 1kV, Ic = 12A, d´application: tipo universale
Foto: -
fonte: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [piú]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Prodotto simile: BUP302
OEM:Siemens AG
copertura: TO-218AA
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):-
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GN12015C,GT15N101,GT15Q101
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OEM:Siemens AG
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